Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
Narrow-gap mercury cadmium telluride thin films grown by MBE and LPE methods onto various substrates (HgCdTe/Si, HgCdTe/GaAs, HgCdTe/CdZnTe) were investigated as a piezoelectric heterostructure for IR detection. The photoresponse, infrared transmittance spectra, parameters of the charge carrie...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118277 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector / F.F. Sizov, A.B. Smirnov, R.K. Savkina, V.A. Deriglazov, M.V. Yakushev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 1. — С. 65-71. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |