Borblik, V. (2009). Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Borblik, V.L. Properties of Junction Diodes Under Conditions of Bisotropic Strains. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Borblik, V.L. Properties of Junction Diodes Under Conditions of Bisotropic Strains. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.