Borblik, V. (2009). Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Borblik, V.L. Properties of Junction Diodes Under Conditions of Bisotropic Strains. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Borblik, V.L. Properties of Junction Diodes Under Conditions of Bisotropic Strains. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.