Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains
In consideration of influence of technological strains on characteristics of junction diodes located on surface of silicon wafers, biaxial character of such strains has taken into account. The cases of (001)- and (111)-oriented silicon wafers on whose surface the diodes are located as well as lon...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118608 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Properties of junction diodes under conditions of bisotropic strains / V.L. Borblik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 1. — С. 42-46. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |