Electron-electron drag in crystals with multivalley band

Electron-electron drag in crystals with multivalley band

Mobility of electrons in multivalley bands of Si and Ge is considered with due regard for intervalley drag. It is shown that drag sufficiently diminishes electron mobility at low temperatures. This effect is clearer pronounced in germanium than in silicon.

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2009
1. Verfasser:	Boiko, I.I.
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118864
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electron-electron drag in crystals with multivalley band / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 212-217. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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