Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
Photoluminescence (PL) study of pseudomorphic heavily modulation-doped AlxGa₁₋xAs/InyGa₁-yAs/GaAs heterostructures shows fundamental changes in the PL spectrum under excitation pumping and/or temperature increase. In most the high and low energy tails of the PL feature undergo the principal transfor...
Gespeichert in:
| Datum: | 2000 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120509 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects / W.T. Masselink, H. Kissel, U. Mueller, C. Walther, Yu.I. Mazur, G.G.Tarasov, G.Yu. Rudko, M.Ya. Valakh, V. Malyarchuk, Z.Ya. Zhuchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 126-137. — Бібліогр.: 44 назв. — англ. |