Gaidar, G. (2015). Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Gaidar, G.P. Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Gaidar, G.P. Changes in Electrophysical Properties of Heavily Doped N-Ge <As> Single Crystals Under the Influence of Thermoannealings. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2015.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.