Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors
The manifestation of the low temperature plasticity (LTP) in highly uniaxially strained Ge and Si single crystals was deduced from analysis of the both tensoeffect measurements data and defect-selective etching patterns of specimens. An appearance of additional tensoeffect mechanisms after the LTP d...
Збережено в:
Дата: | 2000 |
---|---|
Автори: | Venger, Ye.F., Kolomoets, V.V., Machulin, V.F. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121177 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Interface model of low temperature plasticity in high uniaxially strained monocrystalline semiconductors / Ye.F. Venger, V.V. Kolomoets, V.F. Machulin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 291-294. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2001) -
Low-temperature plastic deformation and strain hardening of nanocrystalline titanium
за авторством: V. A. Moskalenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
The features of phonon component of linear dichroism in uniaxially strained silicon crystals
за авторством: Serdega, B.K., та інші
Опубліковано: (2003) -
AFM Study of Surface of the Metallic Condensates on the Monocrystalline Silicon and Energy Parameters of Interface Interactions in the ‘Metallic Condensate—Semiconductor' System
за авторством: B. P. Koman, та інші
Опубліковано: (2015) -
The quantum nature of the formation mechanisms of Ag monolayer structures on the monocrystalline semiconductor surfaces
за авторством: L. I. Karbovskaja, та інші
Опубліковано: (2019)