Parphenyuk, P., & Evtukh, A. (2016). Lowering the density of dislocations in heteroepitaxial III-nitride layers: Effect of sapphire substrate treatment (review). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Parphenyuk, P.V, та A.A Evtukh. Lowering the Density of Dislocations in Heteroepitaxial III-nitride Layers: Effect of Sapphire Substrate Treatment (review). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Parphenyuk, P.V, та A.A Evtukh. Lowering the Density of Dislocations in Heteroepitaxial III-nitride Layers: Effect of Sapphire Substrate Treatment (review). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2016.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.