Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method
This paper presents research of the process for growing the crystals of semiconductor solid solutions Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe under conditions of a modified zone melting.
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121548 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Investigation of growing the Hg₁₋x₋y₋zAxByCzTe solid solutions by modified zone melting method / I.N. Gorbatyuk, V.V. Zhikharevich, S.E. Ostapov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 4. — С. 22-25. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |