Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility
The apparent insulator—quantum Hall—insulator (I—QH—I) transition for filling factor 1 has been investigated in p-type Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with εFτ/h ≈ 1. Scaling analysis is carried out for both the low- and high-field transition point. In low magnetic fields ωcτ < 1 pronounced QH...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/127532 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Quantum Hall effect in p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures with low hole mobility / Yu.G Arapov, G.I. Harus, I.V. Karskanov, V.N. Neverov, N.G.Shelushinina, M.V. Yakunin // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 2-3. — С. 207-210. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |