Влияние структуры ядра на электронный спектр атома гелия
Методом точной диагонализации рассчитаны поправки к основному состоянию атома ⁴He, связанные с конечным размером и конечной массой его ядра, которое в рамках оболочечной модели интерпретируется как связанное состояние двух дейтронов. Известный из эксперимента квадрупольный момент дейтрона (Q₀ = 2.7...
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2016
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129291 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние структуры ядра на электронный спектр атома гелия / Т.Н. Анцыгина, К.А. Чишко // Физика низких температур. — 2016. — Т. 42, № 9. — С. 936-942. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |