Intrinsically shunted Josephson junctions for electronics applications
Conventional Josephson metal-insulator-metal devices are inherently underdamped and exhibit hysteretic current -voltage response due to a very high subgap resistance compared to that in the normal state. At the same time, overdamped junctions with single-valued characteristics are needed for most su...
Gespeichert in:
Datum: | 2017 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | English |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2017
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/129526 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Intrinsically shunted Josephson junctions for electronics applications / M. Belogolovskii, E. Zhitlukhina, V. Lacquaniti, N. De Leo, M. Fretto, A. Sosso // Физика низких температур. — 2017. — Т. 43, № 7. — С. 950-961. — Бібліогр.: 75 назв. — англ. |