Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
Проведено комплексні дослідження електропровідності та магнетоопору деформованих і недеформованих зразків ниткоподібних кристалів Si р-типу провідності з різним ступенем легування бором та домішкою нікелю у широкому інтервалі температур — від 4,2 до 300 К. Виявлено, що найбільший прояв п'єзорез...
Збережено в:
| Дата: | 2017 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/130086 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni> / А.A. Дружинин, Ю.Н. Ховерко, А.П. Кутраков, Р.Н. Корецкий, С.Ю. Яцухненко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2017. — № 3. — С. 24-29. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |