The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix
The existence of n-n⁺ transition in the elastic area of the implanted crystal matrix GaAs(100) + Ar(Si) is discussed within the framework of the electron-deformation model. It is shown that n-n+ transition becomes sharper with the increase of conductivity zone population (0 <= n <= 0.5). Thus...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України
2004
|
| Назва видання: | Functional Materials |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134811 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The formation of n-n⁺ transition in the implanted crystal matrix / R.M. Peleshchak, O.V. Kuzyk, V.P. Tupichak, D.D. Shuptar // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 201-205. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |