APA-Zitierstil (7. Ausg.)

Nadtochiy, V., Golodenko, N., & Nechvolod, N. (2005). Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer. НТК «Інститут монокристалів» НАН України.

Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)

Nadtochiy, V., N. Golodenko, und N. Nechvolod. Recombination of Non-equilibrium Charge Carriers Injected into Ge Through Intermediate Defective Layer. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2005.

MLA-Zitierstil (8. Ausg.)

Nadtochiy, V., et al. Recombination of Non-equilibrium Charge Carriers Injected into Ge Through Intermediate Defective Layer. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2005.