Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111)
Расчеты оптимального пространственного строения (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) адсорбционного комплекса молекулы кислорода на кластере, моделирующем грань Si(111), показали, что на расстояниях, превышающих 0,35 нм, ось молекулы перпендикулярна поверхности и молекула находится в триплетном состоянии. При мен...
Gespeichert in:
| Datum: | 2015 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
2015
|
| Schriftenreihe: | Поверхность |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/148476 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Триплет-синглетный переход при адсорбции молекулы О₂ на грани Si(111) / М.И. Теребинская, О.В. Филоненко, О.И. Ткачук, В.В. Лобанов // Поверхность. — 2015. — Вип. 7 (22). — С. 24-30. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |