Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox

На основании сопоставления теоретически рассчитанного тензора градиента электрического поля с име­ющимися экспериментальными данными определено распределение зарядовых состояний всех атомов в элементарной ячейке RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проанализиповано изменени...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:1995
1. Verfasser: Гусаков, В.Е.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1995
Schriftenreihe:Физика низких температур
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174738
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox / В.Е. Гусаков // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 805-809. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine