Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox
На основании сопоставления теоретически рассчитанного тензора градиента электрического поля с имеющимися экспериментальными данными определено распределение зарядовых состояний всех атомов в элементарной ячейке RВа₂Си₃Ох (х = 6, 7) (R = Yb, Ег, Но, Y, Gd, Eu, Sm, Nd, Рг). Проанализиповано изменени...
Gespeichert in:
Datum: | 1995 |
---|---|
1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/174738 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Анализ распределения зарядовых состояний атомов в высокотемпературных сверхпроводниках RBa₂Cu₃Ox / В.Е. Гусаков // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 8. — С. 805-809. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |