Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не
Изучен рост свободного кристалла ⁴Не в температурном интервале от 0,5 до 1,5 К и отклонениях от давления фазового равновесия до 1 000 дин/см². Разработан метод выращивания кристаллов гелия с минимальным количеством дефектов. Анизотропия кинетического коэффициента роста кристалла измерена непосредств...
Gespeichert in:
| Datum: | 1995 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1995
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/175164 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование кинетики роста граней свободно растущего кристалла ⁴Не / В.Л. Цымбаленко // Физика низких температур. — 1995. — Т. 21, № 2. — С. 162-172. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |