Экранирование электростатического потенциала в системе композитных фермионов
Рассмотрено экранирование электрического поля пробного заряда монослойной и двухслойной системой композитных фермионов с учетом влияния границы образца. Показано, что в системе имеет место частичная экранировка поля пробного заряда на расстояниях много больших магнитной длины. Величина экранировки к...
Gespeichert in:
| Datum: | 1998 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176686 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Экранирование электростатического потенциала в системе композитных фермионов / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 12. — С. 1146-1150. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |