Экранирование электростатического потенциала в системе композитных фермионов
Рассмотрено экранирование электрического поля пробного заряда монослойной и двухслойной системой композитных фермионов с учетом влияния границы образца. Показано, что в системе имеет место частичная экранировка поля пробного заряда на расстояниях много больших магнитной длины. Величина экранировки к...
Gespeichert in:
| Datum: | 1998 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176686 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Экранирование электростатического потенциала в системе композитных фермионов / Д.В. Филь // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 12. — С. 1146-1150. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Рассмотрено экранирование электрического поля пробного заряда монослойной и двухслойной системой композитных фермионов с учетом влияния границы образца. Показано, что в системе имеет место частичная экранировка поля пробного заряда на расстояниях много больших магнитной длины. Величина экранировки как функция расстояния существенным образом зависит от фактора заполнения. Для двухслойной системы найден эффект изменения величины экранировки при переходе системы в состояние, описываемое волновой функцией Гальперина. |
|---|