Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe
На основе HgTe исследовано незначительное число систем, хотя полупроводниковые материалы на базе теллурида ртути находят все более широкое применение в современной полупроводниковой технике. Цель настоящей работы - изучить методами физико-химического анализа диаграмму состояния системы HgTe-SпТе....
Gespeichert in:
| Datum: | 1983 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
1983
|
| Schriftenreihe: | Украинский химический журнал |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183136 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe / П.Ф. Венгель, В.Н. Томашик, И.Б. Мизецкая // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 12. — С. 1247-1250. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |