Structural features of doped silicon single crystals
The nature of the change in the Fermi level of silicon under the influence of dopants, point defects, and dislocations has been determined. The parameters of the diffusion of impurities, the conditions for their appearance and removal in the process of directional crystallization and the post-crysta...
Gespeichert in:
| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2022
|
| Schriftenreihe: | Вопросы атомной науки и техники |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/195817 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Structural features of doped silicon single crystals / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2022. — № 1. — С. 26-31. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |