Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температ...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
2009
|
| Schriftenreihe: | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/22264 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |