Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использ...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51707 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества / В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьёв, И.И. Рубцевич, А.Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 22-26. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |