Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
Исследованы пространственное распределение параметров плазмы и однородность потока ионов, направленного на обрабатываемую поверхность в плазмохимическом реакторе. Полученные результаты могут быть использованы в технологиях производства микроэлектронных приборов....
Gespeichert in:
Datum: | 2011 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51764 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников / С.В. Дудин, В.А. Лисовский, А.Н. Дахов, В.М. Плетнёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1-2. — С. 42-48. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |