Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов

Приемник может быть использован в системах с высокой разрешающей способностью по температуре. Среднее значение температуры излучения, эквивалентной шуму, составляет 20±4мК....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2010
Hauptverfasser: Рева, В.П., Голенков, А.Г., Забудский, В.В., Коринец, С.В., Цибрий, З.Ф., Гуменюк-Сычевская, Ж.В., Бунчук, С.Г., Апатская, М.В., Лысюк, И.А., Смолий М.И.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51963
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов / В.П. Рева, А.Г. Голенков, В.В. Забудский, С.В. Коринец, З.Ф. Цибрий, Ж.В. Гуменюк-Сычевская, С.Г. Бунчук, М.В. Апатская, И.А. Лысюк, М.И. Смолий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 24-28. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine