Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов....
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51969 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 4. — С. 53-56. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |