Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
Полученные оптимальные технологические режимы процесса диффузии фосфора с применением твердого планарного источника позволяют получать транзисторы с улучшенными электрофизическими характеристиками....
Saved in:
Date: | 2008 |
---|---|
Main Author: | Шангереева, Б.А. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52394 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем / Б.А. Шангереева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 54-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
by: Пилипенко, В.А., et al.
Published: (2013) -
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
by: Ланин, В.Л., et al.
Published: (2014) -
Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2007) -
Технологии изготовления фотонных кристаллов
by: Березянский, Б.М.
Published: (2007) -
Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
by: Ланин, В.Л., et al.
Published: (2013)