Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52449 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |