Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автори:	Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Материалы электроники
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52449
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Исследование воспроизводимости электрофизических параметров толстопленочных структур "RuO₂-стекло"
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)

Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2000)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
за авторством: Пучкова, Н.С., та інші
Опубліковано: (2000)

Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
за авторством: Максимчук, Н.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Перспективные материалы для низкоомных толстопленочных резистивных элементов
за авторством: Смирнов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2005)

Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
за авторством: Семенов, A.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Дранчук, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В., та інші
Опубліковано: (2001)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)

Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
за авторством: Алиева, Х.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
за авторством: Храмов, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)

Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
за авторством: Гохман, А.Р., та інші
Опубліковано: (2000)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Условия использования стеклообразных халькогенидных сплавов в дозиметрии высокоэнергетичных γ-квантов
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2005)