Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки....
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52534 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |