Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52648 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |