Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом

Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2006
Main Author: Ёдгорова, Д.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine