Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
Gespeichert in:
Datum: | 2006 |
---|---|
1. Verfasser: | Ёдгорова, Д.М. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006) -
Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Леонов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)