Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
Вольт-амперные характеристики с неявно выраженным насыщением тока стока обусловлены постепенной частичной рекомбинацией носителей у истоковой части канала.
Saved in:
Date: | 2006 |
---|---|
Main Author: | Ёдгорова, Д.М. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53275 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом / Д.М. Ёдгорова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 58-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006) -
Модель алмазного транзистора
by: Алтухов, А.А., et al.
Published: (2011) -
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
by: Леонов, Н.И., et al.
Published: (2006) -
Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011) -
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
by: Кушниренко, В.В., et al.
Published: (2007)