Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
Термическое испарение палладия в высоком вакууме позволяет получать слои Pd₂Si непосредственно в процессе напыления без последующей термообработки.
Gespeichert in:
Datum: | 2005 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53610 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л.П. Ануфриев, В.В. Баранов, Я.А. Соловьев, М.В. Тарасиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 55-56. — Бібліогр.: 2 назв. — рос. |