Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆
Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn₂P₂S₆ при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода p ≈ 0.2 GPa....
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2010
|
| Schriftenreihe: | Физика и техника высоких давлений |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69312 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn₂P₂S₆ / Ю.И. Тягур, И.Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. — 2010. — Т. 20, № 3. — С. 56-69. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |