Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации
Приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge. При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25 μm и на расстоянии от него < 1.2...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2013
|
| Series: | Физика и техника высоких давлений |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69673 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Распределение дефектов в тонких полупроводниковых пластинах при низкотемпературной деформации / А.И. Уколов, В.А. Надточий, Н.К. Нечволод // Физика и техника высоких давлений. — 2013. — Т. 23, № 4. — С. 83-91. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |