Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
Исследованы зависимости технологических характеристик процесса глубокого травления кремния от его операционных параметров. Разработан и оптимизирован процесс глубокого плазменного травления кремния для создания сквозных отверстий с управляемым профилем....
Saved in:
| Date: | 2014 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70538 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов / А.А. Голишников, М.Г. Путря // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 1. — С. 36-41. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |