Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃
Предложена методика расчета параметров пленок многокомпонентной системы HfO₂—Nd₂O₃, полученных электронно-лучевым напылением в вакууме, с неоднородным распределением компонентов по толщине. Данные расчета хорошо коррелируют с результатами эксперимента, что позволяет получать пленки с заданными диэле...
Saved in:
Date: | 2003 |
---|---|
Main Authors: | Казаков, А.И., Андриянов, А.В., Миронов, В.С., Поляруш, О.В. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70600 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Расчет частотной зависимости диэлектрических характеристик тонких пленок системы HfO₂—Nd₂O₃ / А.И. Казаков, А.В. Андриянов, В.С. Миронов, О.В. Поляруш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 1. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
by: Храмов, Е.Ф., et al.
Published: (2003) -
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2008) -
Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
by: Семенов, A.В., et al.
Published: (2017) -
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
by: Дмитриев, М.В., et al.
Published: (2012) -
Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
by: Стерхова, А.В.
Published: (2002)