Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служит...
Saved in:
| Date: | 2002 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70797 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия / В.А. Завадский, С.В. Ленков, Д.В. Лукомский, В.А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2002. — № 6. — С. 7-9. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |