Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.
Saved in:
| Date: | 2001 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70837 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |