Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si
The paper is devoted to the technological peculiarities of growing the A²B⁶ needle crystals the solid solutions on its basis as well as silicon crystals originally developed and realized by the author. Physical properties of these materials are explored in dependence on composition and form of growt...
Saved in:
Date: | 2011 |
---|---|
Main Author: | |
Format: | Article |
Language: | Ukrainian |
Published: |
Західний науковий центр НАН України і МОН України
2011
|
Series: | Праці наукового товариства ім. Шевченка |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75285 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Голчастi кристали напівпровідників A²B⁶ i Si / М. Витрихівський // Праці Наукового товариства ім. Шевченка. — Л., 2011. — Т. 8: Фізичний збірник. — С. 305-308. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |