Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
За допомогою метод функціоналу електронної густини та псевдопотенціялу із перших принципів одержано розподіли густини валентних електронів і електронні спектри епітаксійних гетероструктур Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/CdTe та Si/CdTe/CdхHg1-xTe (х = 0,2)/ZnS. Визначено зменшення густини електронного...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2012
|
| Series: | Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/75889 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів / Р.М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2012. — Т. 10, № 4. — С. 847-857. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |