Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника
Рассмотрена температурная зависимость ширины запрещенной зоны полупроводника. Численным моделированием процессов тепловой генерации с дискретных уровней установлено, что ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом температуры. Полученные результаты совпадают с экспериментальными данными....
Saved in:
| Date: | 2011 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2011
|
| Series: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/76138 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Влияние температуры на ширину запрещенной зоны полупроводника / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 1. — С. 40–43. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |