Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
Вивчено вплив одноосного тиску від 0 до 100 кПа при постійній температурі 300 K в напрямку перпендикулярному до площини локалізації границі розділу гетеропереходів n-InSe–p-GaSe на зміну електричних та фотоелектричних параметрів. Знайдено, що густина струму через гетерограницю зростає при збільшенні...
Saved in:
| Date: | 2008 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2008
|
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/7890 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів / М.О. Воробець // Физическая инженерия поверхности. — 2008. — Т. 6, № 3-4. — С. 51-54. — Бібліогр.: 4 назв. — укр. |