Dolgolenko, A. (2006). The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation. Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Dolgolenko, A.P. The Annealing of High - Level Doped Materials on the Base of the N – and P – Si₀.₇ Ge₀.₃ Solid Solution Under Reactor Irradiation. Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2006.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Dolgolenko, A.P. The Annealing of High - Level Doped Materials on the Base of the N – and P – Si₀.₇ Ge₀.₃ Solid Solution Under Reactor Irradiation. Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України, 2006.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.