Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2013
|
| Schriftenreihe: | Доповіді НАН України |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/85897 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si / П.І. Баранський, В.М. Бабич, Г.П. Гайдар // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2013. — № 9. — С. 87–92. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | У широкому iнтервалi концентрацiй носiїв заряду 10¹² ≤ ne ≡ NI ≤ 10¹⁹ cм⁻³ при
T = 77,4 К в дослiдах з монокристалами n−Si експериментально одержано залежнiсть
граничних значень тензоопору ρ∞^[100]/ρ₀ вiд ne, яка дозволяє проводити розрахунки параметра анiзотропiї рухливостi K = μ⊥/μ||k = Km/Kτ (а отже, i параметра анiзотропiї розсiяння Kτ = Km/K) для областi азотних температур у припущеннi, що дослiджуванi кристали є практично не компенсованими. Наведено пояснення наявностi мiнiмуму на залежностi ρ∞^[100]/ρ₀ = f(ne) в областi ne ≈ 10¹⁷ ÷ 10¹⁸ см⁻³. |
|---|