Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии
Проанализирована кинетика процесса перезарядки поверхностных состояний, границы раздела полупроводник-диэлектрик, показано, что экспериментальный сплошной спектр плотности поверхностных состояний (ППС), при низких температурах превращается в дискретный энергетический спектр. Такая температурная за...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2010
|
| Schriftenreihe: | Физическая инженерия поверхности |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/98845 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Температурная зависимость плотности поверхностных состояний, определенная с помощью нестационарной емкостной спектроскопии / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 53–58. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |